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子公司介绍安晟半导体-专注新一代半导体产品的设计、制造、销售

铭普光磁子公司-安晟半导体

聚焦数字经济、专注新一代半导体产品的设计、制造、销售,成为光、射频、毫米波及电源类半导体产品及解决方案的优质供应商

公司介绍-安晟半导体


广州安晟半导体技术有限公司


广州安晟半导体技术有限公司成立于2020年12月,注册资本2000万元,位于广州市黄埔区科学大道18号芯大厦

公司拥有国内独家4英寸磷化铟宽禁带半导体晶圆加工测试生产线,主要为客户提供满足通信、物联网等应用需求的高性能射频、毫米波和光通信产品,基于硅、砷化镓、磷化铟、碳化硅及氮化镓技术的半导体设计、制造、封装和测试,应用涵盖高速光学、卫星、雷达、有线/无线网络、新能源与汽车、工业等多个领域。

主要产品包括:2.5G DFB激光器测试芯片、10G APD雪崩光电二极管高速测试芯片、25G FP(法布里-珀罗)激光器测试芯片和25G DFB(分布式反馈)激光器测试芯片及对应TO-CAN(MCM)多芯片封装器件、MCM/QFN封装的可变增益放大器、差分放大器、低噪声放大器、CDR限幅放大器、跨阻放大器等。公司聚焦数字经济、专注新一代半导体产品的设计、制造、销售,成为光、射频、毫米波及电源类半导体产品及解决方案的优质供应商。

公司主要技术骨干具备15年以上芯片半导体跨国企业从业经验及各种软硬件开发能力。累计3项发明专利+11项实用新型专利已经通过预审并提交知识产权机构注册登记,其中7项实用新型专利已获得授权,4项审核中。


发展历程-安晟半导体


安晟半导体-发展历程


安晟半导体-主要产品

01-2.5G 分布式反馈激光器测试芯片

2.5G 分布式反馈激光器测试芯片

关键特性:

  • 芯片尺寸:265 x 250 x 100um
  • 1310 nm波长
  • 窄波束发散角(NFF)
  • 直接调制高达2.5Gbps
  • 非冷却操作
  • 边缘发射激光器(EEL)
  • Telcordia-GR468符合RoHS标准
  • 晶圆级映射/筛选 ;
  • 100%经过测试

应用领域:

  • 2.5Gps光以太网、
  • PON、SDH

02-10G雪崩光电二极管测试芯片

10G雪崩光电二极管测试芯片

关键特性:

  • 雪崩光电二极管芯片
  • 正面照射
  • 高灵敏度
  • 波长范围1250 - 1650 nm
  • 芯片尺寸:300x300x150μm
  • 100%经过测试

应用领域:

  • PON
  • SONET
  • 以太网

03-25G法布里珀罗激光器测试芯片

25G法布里珀罗激光器测试芯片

关键特性:

  • 1310nm波长
  • 直接调制速率高达25Gbps
  • 非制冷运行,工作温度-40ºC 到 95ºC
  • 边缘发射激光器(EEL)
  • 端面刻蚀技术可以实现高性能和产品的均一性
  • 单片表面发射和光束整形可以与硅光子对齐
  • 高背反射抑制,无需使用隔离器从而降低封装成本
  • 基于Telcordia GR-468标准设计,符合RoHS
  • 芯片尺寸:200x250x100μm
  • 100%经过测试

应用领域:

  • 5G LTE短距离前传应用
  • 数据中心的低成本100Gpbs PSM4(并行单模光纤)

04-25G分布式反馈激光器测试芯片

25G分布式反馈激光器测试芯片

关键特性:

  • CWDM(粗波分复用器)波长1270/1290/1310/1330/1350/1370nm
  • 内置布拉格光栅(Bragg Grating),输出光功率大、发散角较小、光谱极窄、
  • 适合于长距离通信,直接调制速率高达25Gbps ;
  • 非制冷运行,工作温度-40ºC 到 95ºC
  • 边缘发射激光器(EEL)
  • 端面刻蚀技术可以实现高性能和产品的均一性
  • 单片表面发射和光束整形可以与硅光子对齐
  • 高背反射抑制,无需使用隔离器从而降低封装成本
  • 基于Telcordia GR-468标准设计,符合RoHS
  • 芯片尺寸:200x250x100μm
  • 100%经过测试

应用领域:

  • 5G长距离前传(1310,单纤双向,CWDM6)
  • 光纤以太网25Gbps/100Gbps,50Gbps PAM4(脉冲幅度调制)
  • 数据中心,CWDM

05-2.5G DFB激光器多芯片TO器件

2.5G DFB激光器多芯片TO器件

关键特性:

  • TO56高折大球镀膜透镜封装
  • 1310nm DFB激光器
  • 2.5G速率传输
  • 高稳定性,低阈值电流
  • LD芯片:2.5G DFB激光器芯片
  • MPD芯片:S-11ACPD08-G
  • 100%经过测试

应用领域:

  • 光纤通信
  • 数据传输

06-10G APD多芯片TO器件

10G APD多芯片TO器件

关键特性:

  • APD芯片:高灵敏度10G雪崩光电二极管
  • TIA芯片:MS56000
  • 5针TO46与镜头盖密封包装
  • 符合MIL-STD-883和GR-468-CORE标准
  • 满足欧盟RoHS要求
  • 波长范围1250 - 1650 nm
  • 100%经过测试

应用领域:

  • 10G PON ONU,以太网
  • 对称OLT和非对称OLT
  • 其他长途传输系统可达10Gbps

更多产品请访问https://www.an-semi.com.cn/


若您对我们的产品有任何疑问,请给我们留言或者发送您的疑问至kelly-liu@mnc-tek.com.cn,谢谢!



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